Nos mantenemos a la vanguardia para apoyar un futuro sostenible. Los dispositivos semiconductores de alimentación son fundamentales para hacer que innumerables variedades de equipos electrónicos de potencia tengan un consumo de energía más eficiente: desde sistemas de tracción ferroviaria y automóviles hasta robots industriales y sistemas de aire acondicionado. Mitsubishi Electric ayuda a crear una sociedad con bajas emisiones de carbono y a brindar una mejor calidad de vida para todos a través del desarrollo de dispositivos semiconductores de potencia.

Descripción general

Participación de primera clase a nivel mundial*

Nuestros dispositivos semiconductores de potencia se utilizan en casi todas partes: en equipos electrónicos de potencia, incluidos los electrodomésticos, sistemas de tracción, automóviles y distribución de electricidad. Como el líder de larga data en la cuota del mercado mundial, Mitsubishi Electric contribuye significativamente a la conservación de la energía y a la reducción del tamaño y el peso de los equipos electrónicos de potencia.
.*En Módulos IGBT (a partir de febrero del 2017), basado en la investigación de Mitsubishi Electric.

Dispositivos semiconductores de potencia que incorporan carburo de silicio (SiC)

Seguimos explorando el potencial del carburo de silicio (SiC). En dispositivos de alimentación, puede reducir significativamente la pérdida de potencia debido a las características especiales del material y mejorar considerablemente la eficiencia energética de los dispositivos electrónicos de potencia. Mitsubishi Electric comenzó a desarrollar los elementos necesarios para el SiC a principios de los años 90 y ha continuado en la vanguardia mundial de la industria, a través del desarrollo de versiones comerciales de dispositivos semiconductores de potencia de SiC y productos que incorporan estos dispositivos, además de proporcionar datos que muestran su rendimiento del ahorro de energía.

Historia

Década de los 50~

Mitsubishi Electric inició una investigación sobre los dispositivos semiconductores de potencia en la década de 1950.

1958

Se desarrolló y comercializó el primer dispositivo semiconductor de potencia en Japón.

Década de los 90

Se desarrolló un nuevo material y producto, los semiconductores de potencia de carburo de silicio (SiC), manteniendo una ventaja sobre otras empresas.

2010

Se instaló un dispositivo semiconductor de potencia de SiC en (nuestras) unidades de aire acondicionado: por primera vez en el mundo.

2012

Se comenzaron a enviar muestras de módulos de semiconductores de potencia de SiC a los mercados mundiales.

2015

Se instaló un sistema de tracción para automotores con módulos completos de semiconductores de potencia de SiC en los trenes bala Shinkansen de alta velocidad de Japón.

Investigación y desarrollo/tecnologías

Reunión de información empresarial sobre dispositivos de alimentación

Estamos comprometidos con el desarrollo continuo de SiC para reducir los costos y mejorar el rendimiento, por lo que, como líder mundial en la fabricación de dispositivos de alimentación, ofrecemos importantes dispositivos que ahorran energía.

Ampliación de la gama de DIPIPM de grandes dimensiones y 1200 V Ver. 6

Esta nueva incorporación a nuestra gama de productos alcanza un "primer logro" importante: una corriente nominal de 75 A para DIPIPM, que cubre el rango de 40 kW en aire acondicionado tipo paquete.

Módulo de potencia híbrido con SiC de gran capacidad

Un inversor de tracción que incorpora módulos de potencia híbridos con SiC de gran capacidad montados en un automotor ha demostrado su efecto de ahorro de energía en operaciones comerciales desde febrero del 2012.